SK, 용인 첫 팹에 9.4조 투자 HBM 등 첨단D램 생산기지로

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SK, 용인 첫 팹에 9.4조 투자 HBM 등 첨단D램 생산기지로
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내년 3월 착공·2027년 준공소부장 中企 50여곳도 입주

소부장 中企 50여곳도 입주 SK하이닉스가 글로벌 인공지능 반도체 생산 거점이 될 용인 반도체 클러스터의 1기 팹 건설에 9조원이 넘는 자금을 투입한다.

SK하이닉스는 내년 3월 용인 클러스터에 첫 팹을 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다. 이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 수처리시설, 공동구, 변전시설 등 부대시설, 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다. SK하이닉스는 용인 1기 팹에서 고대역폭메모리를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다. 국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다.

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