SHW Tech株式会社は、台湾・国立成功大学・水野潤教授の研究グループと共同で、特許取得のIFB（Ion Flow Bonding）ゼロレディーボンディング技術を用い、SiCとシリコン、サファイアの常温接合に成功。次世代パワー半導体分野における新しい実装技術の開発に貢献し、EV向けパワーモジュールなどへの応用も期待される。今後は、より難易度の高いワイドバンドギャップ半導体間の接合や、ガラスインターポーザへの応用も研究を進める。
SHW Tech株式会社は、台湾・国立成功大学・水野潤教授の研究グループとSHW Techが特許取得の、 IFB （Ion Flow Bonding）ゼロレディーボンディング技術を用いて、次世代パワー 半導体 材料として需要が高まるSiCとシリコン、 サファイア という従来は常温接合が「ほぼ不可能」とされてきた材料の直接接合に成功しました。この成果は、プラズマを活用した化学的酸化膜還元プロセスにより、酸化膜内部から酸素・炭素を原子レベルで除去し、高活性表面を形成できる IFB 技術の特性によって実現されたものです。次世代パワー 半導体 分野で需要が高まるSiCの新しい実装技術開発に繋がるもので、今回、SiC–Siおよび サファイア –SiCという希少な異種材料接合の安定実証を達成し、今後さらに製品化へ向けた研究を推進します。（参考：IEA「Global EV Outlook」、Yole Intelligence「Power SiC Report」）。SHW Techはこの課題を克服するため、日本と台湾で特許を取得した独自技術「 IFB （Ion Flow Bonding）」を開発。真空プラズマ処理により表面の酸化膜を原子レベルで除去し、室温近傍・低荷重で貼り合わせることで、これまで困難だった異種材料接合の実現に取り組みました。 今回、 IFB 技術により SiC–Si および サファイア –SiC の常温接合を実証したことで、SiCを活用した新しいデバイス構造や3次元実装技術の実現に向けた重要な基盤技術が整いました。今後は、SiC–GaN、Ga₂O₃、ダイヤモンドなど、より難易度の高いワイドバンドギャップ 半導体 間の接合や、ガラスインターポーザへの応用にも研究を広げていきます。また、EV向けパワーモジュール、高速通信・データセンター用電源、光学・高耐環境センサーなどの分野でも実装効果が期待されます。SHW Techは装置メーカーやデバイスメーカーと連携し、研究試作から量産検証まで一貫して行う体制を構築していきます。SiCは脱炭素社会を支える重要材料ですが、加工・接合が極めて難しい素材です。今回、 IFB 技術により SiC–Si と サファイア –SiC の常温接合を実証できたことは、新しいデバイス構造や3D実装の実現に向けた大きな進展です。 IFB は酸化膜を原子レベルで接合し金属パッドを酸化膜レスで接続できるため、次世代の高密度3D実装に大きく貢献すると期待しています。・所在地（本社）：山梨県甲府市.
SHW Tech株式会社は、台湾・国立成功大学・水野潤教授の研究グループとSHW Techが特許取得の、IFB（Ion Flow Bonding）ゼロレディーボンディング技術を用いて、次世代パワー半導体材料として需要が高まるSiCとシリコン、サファイアという従来は常温接合が「ほぼ不可能」とされてきた材料の直接接合に成功しました。この成果は、プラズマを活用した化学的酸化膜還元プロセスにより、酸化膜内部から酸素・炭素を原子レベルで除去し、高活性表面を形成できるIFB技術の特性によって実現されたものです。次世代パワー半導体分野で需要が高まるSiCの新しい実装技術開発に繋がるもので、今回、SiC–Siおよびサファイア–SiCという希少な異種材料接合の安定実証を達成し、今後さらに製品化へ向けた研究を推進します。（参考：IEA「Global EV Outlook」、Yole Intelligence「Power SiC Report」）。SHW Techはこの課題を克服するため、日本と台湾で特許を取得した独自技術「IFB（Ion Flow Bonding）」を開発。真空プラズマ処理により表面の酸化膜を原子レベルで除去し、室温近傍・低荷重で貼り合わせることで、これまで困難だった異種材料接合の実現に取り組みました。 今回、IFB技術により SiC–Si および サファイア–SiC の常温接合を実証したことで、SiCを活用した新しいデバイス構造や3次元実装技術の実現に向けた重要な基盤技術が整いました。今後は、SiC–GaN、Ga₂O₃、ダイヤモンドなど、より難易度の高いワイドバンドギャップ半導体間の接合や、ガラスインターポーザへの応用にも研究を広げていきます。また、EV向けパワーモジュール、高速通信・データセンター用電源、光学・高耐環境センサーなどの分野でも実装効果が期待されます。SHW Techは装置メーカーやデバイスメーカーと連携し、研究試作から量産検証まで一貫して行う体制を構築していきます。SiCは脱炭素社会を支える重要材料ですが、加工・接合が極めて難しい素材です。今回、IFB技術により SiC–Si と サファイア–SiC の常温接合を実証できたことは、新しいデバイス構造や3D実装の実現に向けた大きな進展です。IFBは酸化膜を原子レベルで接合し金属パッドを酸化膜レスで接続できるため、次世代の高密度3D実装に大きく貢献すると期待しています。・所在地（本社）：山梨県甲府市
United States Latest News, United States Headlines
Similar News:You can also read news stories similar to this one that we have collected from other news sources.
EV（電気自動車）のコンセプトモデル「LDK+」を「SHARP Tech-Day’24 “Innovation Showcase”」で公開EV（電気自動車）のコンセプトモデル「LDK+」を「SHARP Tech-Day’24 “Innovation Showcase”」で公開 シャープ株式会社のプレスリリース
Read more »
シャープ、コンセプトEV「LDK+」--65型ディスプレイ搭載、止まっている時間にフォーカスシャープは、EV（電気自動車）のコンセプトモデル「LDK+」（エルディーケープラス）を発表。9月17～18日まで東京国際フォーラムで開催する同社の技術展示イベント「SHARP Tech-Day’24 “Innovation Showcase”」で公開する。
Read more »
シャープが電気自動車に参入!? コンセプトモデル「LDK+」を公開シャープは9月17～18日に東京国際フォーラムで開催する「SHARP Tech-Day’24 “Innovation Showcase”」にて、同社初の電気自動車（EV）を展示すると発表した。
Read more »
BYD Auto Japan、長澤まさみ起用の新CM放映開始：最新技術を体現BYD Auto Japanは、長澤まさみさんを起用した新CM「BYD EV-TECH Lab」篇と「BYD EV-TECH Lab Lineup」篇を11月29日から放映開始。BYDの最新技術を体現する車両が多数登場し、長澤さんの驚きの表情が描かれる。また、インタビュー動画や「BYD EV-TECHフェア」も公開される。
Read more »
電力損失減、東大とNTTが新半導体 EV・再エネ普及へ東京大学とNTTの研究グループは窒化アルミニウム（AlN）製の半導体デバイスを開発した。炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などよりも高性能なAlNは次世代の半導体材料として注目を集めている。鉄道や電力系統などの高耐圧用途の半導体として実用化を目指す。再生可能エネルギーや電気自動車（EV）の普及により、電気の電圧や周波数を変える「パワー半導体」デバイスの需要が高まっている。AlN半導体
Read more »
パワー半導体「フル SiC SLIMDIP」「ハイブリッド SiC SLIMDIP」サンプル提供開始パワー半導体「フル SiC SLIMDIP」「ハイブリッド SiC SLIMDIP」サンプル提供開始 三菱電機株式会社のプレスリリース
Read more »